삼성전자(대표 윤종용 http://sec.co.kr)는 올 초 업계에서는 처음 개발한 차세대 고속 메모리 반도체인 288M 다이렉트램버스(DR) D램 샘플을 이르면 10월부터 미국 시장에 공급할 예정이라고 24일 밝혔다.
이 제품은 핀당 정보처리 속도가 평균 800㎒로 1초에 200자 원고지 25만장 분량의 데이터를 전송할 수 있으며 모듈 형태로 1기가바이트에서 최대 2기가바이트의 기억용량을 구현해 기존의 싱크로너스(S) D램을 대체할 것으로 예상되는 초고속 반도체다.
삼성전자는 최근 인텔이 차세대 메모리 표준에서 램버스 D램을 제외하려는 움직임에도 불구, 고성능 PC와 서버 및 워크스테이션시장에서 대용량 메모리에 대한 수요가 늘어나 이번에 288M DR D램을 출시키로 했다고 밝혔다.
삼성전자는 이 제품을 세계에서 유일하게 공급하는 업체며 양산시점은 내년 초다.
한편 삼성전자는 이 제품과 더불어 하반기부터 128 SD램, PC133 더블데이터레이트(DDR) SD램 등의 생산을 대폭 늘려 대용량 메모리시장을 선점한다는 전략이다.
<신화수기자 hsshin@etnews.co.kr>