『4기가 D램을 처음 개발한 것도 그렇지만 차세대 핵심 원천기술을 개발한 것이 더욱 중요합니다.』
황창규 삼성전자 메모리반도체부문 사장은 4기가 제품 개발에 성공한 의미를 이렇게 말했다.
황 사장은 『이번에 개발한 4기가 D램에는 0.10미크론 기술 등 공정기술과 다양한 설계기술이 거의 다 망라돼 있어 우리 메모리반도체사업의 경쟁력을 한층 높여놓을 것』이라면서 자신감을 내비쳤다.
그는 또 『이들 핵심기술의 일부를 기존 D램에 적용해 원가경쟁력을 높일 계획』이라면서 『0.10미크론 공정기술의 경우 올해 말께 512M 제품 일부에 시험 적용하고 내년에 상용화할 1기가 제품에 본격 적용할 방침』이라고 말했다.
차세대 D램에 대해서는 초기부터 초미세회로 설계기술로 경쟁사와 차별화한다는 전략이다.
이번 4기가 제품으로 삼성전자는 시장 점유율은 물론 품질과 기술에서 확고부동한 1위 업체의 위상을 다졌다.
이에 대해 황창규 사장은 『반도체를 둘러싼 시장과 기술 환경은 늘 급변하기 때문에 반도체업체들은 항상 차세대 제품에 대해 준비해야 한다』고 말했다.
삼성전자는 최근 가격폭락으로 대부분 D램업체들이 경영난을 겪고 있는 것과 달리 느긋한 입장이다.
황창규 사장은 『우리 회사는 다른 회사보다 제품의 포트폴리오 전략을 잘 짜놓았기 때문에 사업의 안정성이 높다』고 말했다.
이어 황 사장은 『이같은 성과는 어려운 상황에서도 묵묵히 연구해온 개발팀의 공로』라면서 『이번 제품 개발에 만족하지 않고 앞으로도 차세대 기술의 개발과 원가혁신에 집중하겠다』고 다짐했다.
<신화수기자 hsshin@etnews.co.kr>