전력용 반도체 전문회사인 인터내셔널렉티파이어(IR)코리아(대표 박흥식)는 19일 1000V 방사선 내성(radiation-hardened) 전력 금속산화물 전계효과트랜지스터(MOS FET, 모델명 IRHY7G30CMS)를 출시했다고 밝혔다.
인핸스먼트모드(enhancement-mode) n채널 디바이스인 이 제품은 IR의 방사선 내성 게이트 산화 및 필드 산화 공정기법으로 제작돼 싱글 이벤트 업세트와 총 이온화 도즈 경도 요구조건을 만족시키고 소자 수를 최소화, 위성통신 시스템의 전력관리회로와 고주파 스위칭 시스템의 성능향상을 가져온다.
박흥식 대표는 『그동안 방사선 내성 MOS FET이 사용할 수 있는 최고 정격전압은 600V 디바이스여서 고전압 애플리케이션 분야에서는 효율이 떨어지는 바이폴라 트랜지스터를 사용할 수밖에 없었다』며 『이번 제품 출시로 1000V 디바이스로의 대체가 가속화할 것』이라고 전망했다.
MOS FET은 대표적인 전력변환용 반도체 소자로 이번에 출시된 제품은 위성통신 시스템의 마이크로파 신호를 증폭시켜주는 진행파 튜브 증폭기에 주로 사용될 예정이다.
<정진영기자 jychung@etnews.co.kr>