차세대 반도체 소자로 급부상한 실리콘게르마늄(SiGe) 반도체 시장을 겨냥해 국내외 업체들의 시장선점 경쟁이 본격화하고 있다.
20일 외신 및 업계에 따르면 RFMD·커넥선트·퀄컴 등 미국의 통신용 반도체 업체들이 하반기 SiGe 반도체의 본격 양산을 목표로 막바지 공정기술 개발과 수주영업에 돌입한 가운데 FCI·에스앤에스테크놀러지·ASB 등 국내 반도체 벤처기업들과 대기업들도 조만간 시제품을 개발, 공급경쟁에 가세할 예정이다.
SiGe 반도체는 기존 실리콘(Si) 공정을 적용함으로써 저렴한 비용으로 고주파(RF) 처리가 가능하고 방열성도 높아 현 갈륨비소(GaAS) 반도체 시장을 상당수 대체할 수 있을 것으로 기대된다.
미국의 통신용 반도체 업체 RFMD와 아기어시스템스는 SiGe을 적용한 고주파집적회로(RFIC)에 대한 연구개발 및 공정기술을 공동 추진하기로 했다.
또 맥심·커넥선트·퀄컴 등도 시제품을 성능평가한 결과 상용화할 수 있다고 보고 하반기부터 본격 공급한다는 목표아래 이동통신장비업체들을 대상으로 대규모 물량수주에 나섰다.
이에 맞서 국내 화합물 반도체 벤처기업인 FCI·에스앤에스테크놀러지·ASB 등은 이동전화단말기의 핵심부품인 SiGe RFIC를 자체 개발, 다음달 시제품을 내놓고 오는 3분기부터 해외 수탁생산(파운드리)업체를 통해 양산에 들어갈 계획이다.
광전자와 인수협상중인 대우전자의 반도체사업부도 한국전자통신연구원(ETRI)으로부터 SiGe RFIC 관련기술을 이전받아 개발한 시제품을 자체 생산해 이르면 다음달중 출시하고 본격적인 영업에 들어갈 예정이다.
삼성전자와 하이닉스반도체도 비메모리사업을 강화하기 위해 SiGe 생산라인을 구축하는 방안을 심도있게 검토중이다.
국내업체들은 3세대 이동전화단말기 시장을 겨냥해 듀얼밴드 기능을 보강한 송수신부 단일칩고주파집적회로(MMIC)를 내놓고 외국업체에 맞붙는다는 방침이어서 이 시장을 둘러싼 국내외 업체간의 한판승부를 예고했다.
국내외 SiGe 반도체 업체들은 직접생산보다는 위탁생산을 적극 추진중인데 이와 관련 , IBM과 ST마이크로에 이어 대만의 파운드리업체인 TSMC와 UMC도 각각 SiGe 공정기술을 확보, 생산채비를 서두르고 있다.
SiGe 반도체 시장은 지난 99년 200억달러에서 지난해 280억달러로 성장했으며 3세대 이동통신 시장의 개화와 함께 오는 2004년 500억달러 이상으로 성장할 것으로 예상된다.
<정지연기자 jyjung@etnews.co.kr>
◇표:실리콘게르마늄(SiGe) 반도체 주요 업체 및 공정 기술
회사 : 사업 모델 : 핵심 성능 : 공정 기술
IBM : 수탁생산 : 차단주파수(Ft)=50㎓, 최대값(Fmax)=65㎓ : 0.35㎛ CMOS
아기어시스템스 : 자체생산 : Ft=70㎓, Fmax>80㎓ : 0.25㎛ CMOS
ST마이크로: 자체 및 수탁생산:Ft=50㎓, Fmax>65㎓ : 0.35㎛ CMOS, 아트멜: 자체생산:Ft=40㎓, Fmax>45㎓ : 양극성(Bi) CMOS
맥심: 자체생산:Ft=30㎓, Fmax>35㎓ : 양극성(Bi) CMOS