하이닉스반도체(대표 박종섭 http://www.hynix.com)가 0.25㎛ 상보성금속산화막반도체(CMOS) 공정기술을 적용한 코드플래시메모리(NOR)형 32Mb 플래시메모리 신제품을 출시했다고 6일 밝혔다.
이 제품은 3V의 저전압용(HY29LV320) 및 2V의 초저전압용 듀얼뱅크 타입 제품(HY29DS322/323)으로 자체 개발한 ‘Triple Well Channel Erase’ 기술을 적용해 메모리 셀 크기를 10∼20% 가량 줄였으며 고유의 시리얼 넘버를 저장함으로써 이동전화나 세트톱박스의 복제를 방지하는 기능이 있다.
더구나 셀 특성분포 제어기술과 고속 어레이 칩 아키텍처를 적용해 초저전압 제품은 100나노초(㎱), 저전압 제품은 70㎱의 고속동작을 실현했으며 40%까지 프로그래밍 시간을 단축시켜 시간당 더 많은 유닛을 제어할 수 있다.
하이닉스측은 특히 한 뱅크가 프로그램·소거 동작을 하는 동안 또 다른 뱅크에서는 읽기 동작을 할 수 있는 최첨단 듀얼뱅크형 제품을 통해 웹 검색 및 음성인식기능 등을 제공하는 최신 이동전화의 성능을 더욱 더 향상시킬 수 있다고 말했다.
하이닉스반도체는 이번 신제품 출시로 올해 2000만달러에 이어 내년에는 1억2000만달러의 추가매출을 올리면서 NOR형 플래시메모리 사업에서 5억달러의 매출을 달성해 세계시장 점유율 5위권에 진입할 계획이다.
<정진영기자 jychung@etnews.co.kr>
<용어설명>NOR형과 NAND형 플래시메모리
플래시메모리는 D램이나 S램과는 달리 전원이 끊어져도 정보가 기억되는 장점이 있으며 용도에 따라 크게 코드플래시메모리(NOR)형과 데이터플래시메모리(NAND)형으로 분류된다. NOR형 플래시 메모리는 이동전화 단말기, PC의 롬 바이오스, 워크스테이션·서버, 네트워크 장비, 세트톱박스 등의 프로그램을 저장하는 데 사용되고, NAND형은 디지털 스틸 카메라, MP3플레이어, 모빌 컴퓨터에 쓰이는 메모리카드용으로 사용된다.