◆우수상:하이닉스 반도체-(장비재료부문)4 ·8기가 D램급 85㎚ 미세 패터닝 형성기술
하이닉스반도체(대표 박종섭 http://www.hynix.co.kr)는 ‘4·8기가 D램급 85㎚ 미세 패터닝 형성기술’로 산업자원부 장관상 장비재료부문 우수상을 수상했다.
이 기술은 차세대 반도체인 4기가 및 8기가급 D램을 제조할 수 있는 공정기술로 하이닉스반도체는 85㎚ 미세 패턴 형성기술 중 핵심 기반기술인 불화아르곤(ArF) 리소그래피 및 에칭 기술을 개발해냈다. 본 개발기술에 이용된 ArF 스캐너는 해상도 한계가 110㎚인 ASML사의 /900 장비이지만 하이닉스는 십자극선 렌즈구경을 이용한 오프액시스 조명법을 적용하고 절연제 공정기술을 최적화함으로써 85㎚ 패턴을 확보했다.
또 ArF 레지스트가 기존 i라인 및 불화크립톤(KrF) 레지스트보다 플라즈마 식각에 대한 내성이 약해 서브 필름의 식각패턴에 결함이 많았던 것을 새로운 식각방법 및 하드마스크 공정을 개발, 해결했다.
하이닉스반도체 연구팀은 이 기술을 통해 ArF 기술적용 범위의 한계가 70㎚로 연장될 수 있어 ArF기술의 차세대 기술로 예상되는 F2 패터닝 기술의 일부영역을 대체할 수 있을 것으로 기대하고 있으며 이 기술을 이용한 제품이 상용화할 것으로 보이는 2005년께에는 본 기술의 확보여부가 차세대 D램 제조 및 양산에 전략적 무기가 될 것이라고 말했다.
이와 함께 게이트, 아이솔레이션, 비트라인 콘택트, 스토리지 노드 등 핵심모듈 공정에도 응용이 가능해 차세대 메모리 제조에 획기적인 발전을 가져올 것으로 기대했다.