500M 램버스 시대가 열렸다.
삼성전자(대표 윤종용)는 업계에서는 처음으로 0.12미크론 회로선폭 기술과 4뱅크(bank) 구조를 적용한 576Mb 램버스D램을 개발, 내년 2분기부터 양산공급할 계획이라고 27일 밝혔다.
이로써 삼성전자는 램버스 D램에 대한 기술 리더십과 시장 지배력을 공고히 하는 한편, 모든 D램 제품에 0.12미크론 공정을 적용하게 됨으로써 원가 경쟁력도 크게 향상시켰다.
지금까지의 램버스 D램은 0.15미크론, 32뱅크 구조, 256M 제품이 최고 수준이었다.
576M 램버스 D램은 고속으로 데이터를 처리할 수 있게 오류를 잡아내는 데 필요한 용량을 추가(예 128M/144M 또는 256M/288M)한 것으로 삼성전자는 자동적으로 512M 램버스 D램 기술도 확보했다.
이 제품은 1066㎒의 동작속도를 갖춰 일반 PC용 PC133 SD램보다는 8배 DDR 266 제품보다는 4배 빨라 대용량의 데이터를 고속처리하는 동영상과 그래픽 처리에 적합하다. 고성능 컴퓨터, 워크스테이션, 대형 서버, 게임기, 세트톱박스 등에 주로 쓰인다.
또 0.12미크론 회로선폭 기술과 4뱅크 구조를 적용함으로써 칩 크기를 축소해 웨이퍼당 칩 수를 늘려 원가 경쟁력을 크게 향상시킬 수 있다.
삼성전자는 이번에 적용한 0.12미크론 기술을 현 0.15미크론 공정인 256M·128M 램버스 D램에 적용할 경우 웨이퍼당 칩 수를 약 47% 늘릴 수 있다고 밝혔다.
이 회사는 이 제품을 미국 인텔의 4뱅크 램버스 D램 지원용 칩세트 출시 시기인 내년 2분기부터 양산공급하며 램버스 D램 사업에서 내년 10억달러, 2003년 25억달러의 매출을 올릴 계획이다. 램버스 D램은 D램시장의 침체에도 불구, 최근 한달 동안 30% 가량 값이 오르는 등 수요가 공급을 초과했다. 삼성전자는 지난 상반기에 램버스 D램 시장의 60%를 점유했으며 이번 576M 개발로 시장 지배력이 더욱 커질 것으로 기대했다.
★용어설명
뱅크(bank)란 메모리 반도체의 데이터를 읽고 쓰기에 편리하도록 반도체 내부의 데이터 저장구조(cell)를 블록 형태로 구분한 단위로, 메모리 확장시 이 단위로 램을 늘린다. 4뱅크 구조의 1M 램버스의 경우 뱅크당 25만개씩의 셀이 구획돼 있다.
<신화수기자 hsshin@etnews.co.kr>