삼성전자는 2.5Gbps의 데이터를 전송할 수 있는 초고속 서데스 트랜시버(SerDes Transceiver) 반도체 개발에 성공, 네트워크 장비용 반도체시장을 집중 공략한다고 11일 발표했다.
이 칩은 스위치·라우터·하드디스크컨트롤러(HDC) 등의 네트워크 장비에서 고속 데이터 송수신 기능을 담당하는핵심반도체로 LSI로직과 텍사스인스트루먼츠(TI) 등이 시장을 독점해왔다.
삼성전자는 이 칩에 첨단 0.18미크론(1㎛은 100만분의 1m) 공정과 상보성금속산화물반도체(CMOS) 공정을 적용하고 1.8V의 저전압으로 소비전력을 기존 제품보다 37% 정도 낮춰 기가급 초고속 반도체의 새 지평을 열었다고 밝혔다.
삼성전자는 6건의 국내외 특허등록을 추진중이며 내년에는 10Gbps의 초고속 서데스 트랜시버를 출시할 계획이다.
삼성전자는 이번 개발로 네트워크 장비용 반도체사업에 박차를 가할 수 있게 됐으며 연말께 양산에 들어가 2003년까지 1억4000만달러 이상의 매출을 올릴 계획이다.
네트워크 장비시장의 지속적인 성장에 힘입어 서데스 트랜시버 시장은 내년에 약 3300만개, 2005년에는 8500만개로 연평균 약 36%의 고성장을 이룩할 전망이다.
<정지연기자 jyjung@etnews.co.kr>