하이닉스반도체(대표 박종섭 http://www.hynix.com)가 차세대 메모리사업을 본격화하기 위해 더블데이터레이트(DDR) SD램의 생산량을 연말까지 2배로 늘린다.
하이닉스반도체는 128Mb 기준으로 월 350만개인 DDR SD램의 생산량을 오는 12월을 기해 700만개 수준으로 확대한다고 15일 밝혔다.
이를 위해 지난달 기준 월 1만장 규모이던 웨이퍼 투입량을 점차로 늘리고 있으며 이달중 웨이퍼 투입량을 2만장 수준으로 확대해 12월말부터 DDR SD램 생산을 본격화한다는 계획이다.
또 이와는 별도로 메모리 고용량화 추세에 부응하기 위해 11월부터 256Mb DDR SD램 양산을 개시, 연말까지 월 40만∼50만개씩을 생산할 예정이다.
하이닉스반도체는 이천 FAB6과 FAB7의 설비 중 30% 가량을 DDR SD램 생산에 이용해왔으나 증산계획에 따라 연말에는 설비의 50%를 DDR SD램 생산에 활용하는 한편, 3개월 후 재가동되는 미국 오리건주 유진공장에서는 256Mb SD램과 256Mb DDR SD램을 주력 생산하기로 했다.
DDR SD램 증산 결정으로 하이닉스반도체의 전세계 DDR SD램 시장점유율은 기존 45%에서 3% 가량 높아질 것으로 전망된다.
회사 관계자는 “DDR SD램은 SD램에 비해 가격이 50% 가량 높은 반면 생산단가는 비슷해 이를 증산할 경우 수익성 향상이 기대된다”며 “아직 마이크론테크놀로지·인피니온테크놀로지 등이 DDR SD램 시장에 참여하지 않은데다 펜티엄4에서 DDR SD램을 지원하는 인텔 브룩데일 DDR 칩세트가 내년 1월께 출시될 예정이어서 수요 또한 크게 늘어날 것으로 보인다”고 말했다.
<최정훈기자 jhchoi@etnews.co.kr>