삼성전자가 세계 반도체업체로는 처음으로 300㎜ 웨이퍼와 512메가 메모리 반도체 시대를 열었다. 본지 9월 21일자 1·3면 참조
황창규 삼성전자 메모리사업부 사장은 29일 서울 신라호텔에서 기자간담회를 갖고 “300㎜ 웨이퍼를 이용한 256메가비트(Mb) SD램 양산에 들어갔으며 이와 별개로 512Mb 더블데이터레이트(DDR) SD램도 양산중”이라며 “이를 바탕으로 차세대 반도체 시장을 선점, 2005년에는 메모리 분야에서만 200억달러의 매출을 달성하겠다”고 말했다.
300㎜ 웨이퍼와 512Mb DDR D램을 양산한 것은 삼성전자가 처음이며 300㎜ 라인은 기존 200㎜ 에 비해 2.5배나 많은 반도체를 생산해 원가 경쟁력을 획기적으로 높일 수 있다.
삼성은 지난 7월말부터 경기 화성 2단지의 11라인에 구축한 월 1500장 규모의 300㎜ 웨이퍼 양산라인을 시험 가동했으며 지난달부터 0.15미크론(㎛)을 적용해 256M D램의 양산에 돌입, 대형 컴퓨터업체에 공급중이라고 밝혔다.
삼성은 내년에는 생산량 확대와 아울러 0.12미크론 공정을 적용한 512Mb SD램을 양산하고 2003년에는 0.10미크론의 512메가 제품을 양산하며 2004년께엔 0.07미크론 공정기술을 도입키로 했다.
300㎜ 웨이퍼 양산과 별개로 삼성전자는 10라인에서 512Mb DDR SD램을 업계 최초로 양산, 대용량 반도체 시대를 열었다. 삼성은 지난 99년 256Mb D램 제품을 첫 양산했으며 2년만에 512Mb D램 제품을 양산하는 데 성공했다. 특히 삼성은 이 제품에 현존 반도체 제품으로는 가장 미세한 0.12㎛ 공정을 적용해 원가 경쟁력을 높였다고 설명했다.
시장조사기관인 세미코리서치에 따르면 512Mb D램은 2005년께 275억달러 규모의 시장을 형성할 전망이다.
<신화수기자 hsshin@etnews.co.kr>