하이닉스반도체(대표 박종섭 http://www.hynix.com)는 차세대 이동통신단말기용 대용량 S램을 개발, 전세계 이통단말기업체에 상용샘플을 공급하기 시작했다고 29일 밝혔다.
하이닉스반도체가 개발한 대용량 S램은 일반 S램 구조와는 달리 1개의 트랜지스터와 1개의 축전기(커패시터)로 구성되는 D램의 셀 구조를 채택한 ‘슈도(pseudo) S램’으로 회로선폭 0.18미크론(1㎛은 100만분의 1미터)의 미세회로 공정기술을 적용한 16M 및 32M 두가지 제품이다. 기존 이동통신단말기용 S램과 호환되며 업계 최초로 범용 저전력 S램과도 완벽하게 호환된다는 것이 회사측의 설명이다.
하이닉스반도체는 동작전압 2.5V, 3.0V, 2.3∼3.6V의 다양한 제품군을 구비하고 있으며 이들 모두 70나노초(㎱) 및 85㎱의 빠른 속도로 데이터 처리가 가능해 고속화 및 저전력화를 요구하는 차세대 이동통신단말기에 적합하다고 밝혔다.
또 대기모드에서 전력소모가 100마이크로암페어(1㎂는 100만분의 1암페어)이며 제품 내부의 회로동작을 중지시켜 전력소모를 1㎂ 이하로 줄일 수 있는 ‘딥파워 다운모드’를 채택했다.
제품 크기는 업계에서 가장 작은 가로 세로 7×8㎜의 48볼 FBGA(Fine-pitch Ball Grid Array) 패키지 기술을 적용해 실장면적을 최소화했다.
하이닉스반도체는 최근 해외 유력업체를 대상으로 샘플공급에 착수했으며 내년 1분기부터 본격 양산, 이 제품으로만 2002년 한해 1억달러의 매출을 기대하고 있다.
<최정훈기자 jhchoi@etnews.co.kr>