국내 최초로 30나노미터(㎚)급 나노 CMOS 소자가 개발돼 테라급 반도체 상용화에 대한 기대를 높이고 있다.
서울대학교 전기컴퓨터공학부 ‘반도체 소자 및 재료 연구실’은 30㎚의 극소 게이트 선폭을 갖는 전계효과트랜지스터(MOS FET)를 개발하는 데 성공했다고 7일 발표했다.
연구팀은 기존 노광(리소그래피)장비로 형성한 패턴의 가장자리를 따라가면서 30㎚의 층을 쌓은 뒤 나머지 부분을 제거하는 측벽(side wall) 패터닝 기술과 급속열산화(RTO)장비를 이용한 1㎚ 극박막 산화막 형성기술을 적용했다고 밝혔다.
이번 개발을 주도한 박병국 교수는 “기존 평면형(planer) 소자 구조의 연장선상에서 전통적 양산공정을 활용해 만들었기 때문에 양산화가 쉽다는 것이 가장 큰 장점”이라며 “5∼6년 안에 테라비트급 초고집적 소자의 상용화가 가능할 것”이라고 전망했다.
현재 양산중인 집적회로 소자의 최소 선폭은 130㎚급이며 30㎚ 선폭을 가진 나노 CMOS 소자가 상용화되면 D램 용량 기준으로 1테라비트(1000기가비트)급 소자 제작이 가능하다.
전세계적으로 반도체 용량의 한계를 뛰어넘기 위한 나노급 소자 개발경쟁이 치열한 가운데 지난해 6월 인텔이 20㎚급 트랜지스터를 발표했으며 국내에서는 98년 KAIST가 50㎚급 실리콘온인슐레이터(SOI) 트랜지스터를 선보인 바 있다.
<정진영기자 jychung@etnews.co.kr>