하이닉스반도체(대표 박종섭)가 0.15μ 공정을 이용한 양산체제에 본격적으로 돌입했다.
하이닉스는 최근 0.15μ의 초미세회로 공정기술을 적용한 DDR SD램의 양산에 들어갔으며, 블루칩 기술을 적용한 0.15μ 공정도 이번주에 가동하는 등 미국 유진공장을 시작으로 본격적인 수율향상(램프업)에 들어갈 예정이라고 14일 밝혔다.
하이닉스는 그동안 대규모 투자가 없어도 생산성을 향상시킬 수 있는 미세회로 공정기술을 사업장별로 개발해왔으며 최근 이천 팹7의 DDR SD램 라인에서 목표 수율을 달성, 양산에 들어갔다고 설명했다.
하이닉스가 0.15μ으로 양산한 제품은 최근 품귀현상까지 빚는 DDR SD램으로 PC 및 서버용 256메가, 고속그래픽용 128메가, 64메가 등이다. 특히 128메가는 2.8V의 저전압에 375㎒의 초고속, FBGA 패키지 기술을 적용해 칩사이즈를 대폭 줄여 활용 범위가 넓은 게 특징이다.
이와 별개로 하이닉스는 노광(리소그래피) 공정에서 기존 스테퍼 장비로 0.15μ 공정이 가능한 블루칩 기술을 이번주 가동을 시작하는 미국 유진공장과 이천 2개 공장, 청주 1개 공장 등의 최신 D램 라인에 적용한다. 이미 국내 일부 라인에는 웨이퍼가 투입됐으며 수율을 안정화하는 대로 본격적으로 양산할 예정이다.
하이닉스 관계자는 “0.18μ 공정에서 0.15μ 공정으로 넘어가면 생산성이 적게는 25%에서 많게는 50% 정도 향상된다”며 “이번 양산은 하이닉스가 각 사업장 모두에서 0.15μ 미세공정을 셋업했다는 의미”라고 말했다.
<정지연기자 jyjung@etnews.co.kr>