도호쿠대학 응용물리학과의 데루노부 미야자키 교수는 취재진 일행을 반갑게 맞아주었다.
M램의 원천기술을 개발했던 그는 멀지 않아 메모리시장에서 나노기반의 M램이 세력기반을 넓힐 것으로 확신한다고 강조했다.
―최근 M램에 대한 산업계 관심이 크게 높아진 이유는.
▲마그네틱 램은 전류가 끊겨도 정보가 남고 높은 집적밀도와 빠른 처리속도를 고루 갖춘데다 전력소모도 매우 작은 등 우수한 특성 때문에 차세대 메모리제품으로 등극할 가능성이 매우 높기 때문이다.
―일본에서 정부 차원의 M램 개발계획은 다소 늦은 감이 있는데.
▲안타깝지만 사실이다. 일본에서 차세대메모리로 연구가 활발한 Fe램 및 플래시메모리 연구그룹의 저항도 있었고 도시바, NEC 등 민간기업이 M램을 연구하는데 정부지원은 필요없다는 의견도 있었다. 미국에선 국방부가 나서 적극적인 연구가 시작된 지 오래인데 지금부터라도 연구에 매진해 미국과 기술격차를 줄일 계획이다.
―향후 M램 개발목표는 어떻게 되는가.
▲민간기업보다 한단계 높은 1Gb 수준의 M램소자를 향후 5년내에 만드는 것이다. 지난 90년대 후반기에 연구가 시작했으면 별 어려움없이 달성했겠지만 지금 상황에선 목표를 달성하는 데 적잖게 어려움이 많을 것 같다.
―M램을 구현하는데 기술적으로 가장 어려운 점을 든다면.
▲Gb 단계의 M램을 구현하려면 우선 TMR 다층박막의 내열성을 높여야 한다. 보통 반도체공정은 섭씨 450도까지 올라가지만 TMR 다층박막은 300도부터 특성이 급격히 나빠진다. 우리 연구실에서는 현재 섭씨 350도까지 열적으로 안정된 다층박막기술을 가지고 있다.
또 메모리의 밀도가 높아지면서 자성막의 자화 방향을 바꾸는데 매우 큰 자기장이 필요하며 상온에서 M램의 TMR비율도 현재 50% 수준에서 적어도 100%까지 높이는 것이 과제다.
―한국도 1년반 전부터 정부차원의 M램연구가 시작됐는데 한국과 공동연구 가능성은.
▲한국도 삼성전자 등을 주축으로 M램에 대한 기초연구가 이뤄지는 단계로 알고 있다. 반도체시장에서 양국이 차지하는 비중을 생각할 때 한일간의 M램 공동연구가 큰 성과가 있을 것으로 기대된다.
<센다이=배일한기자 bailh@etnews.co.kr>