인텔이 300㎜ 웨이퍼 전용 공장(fab)을 하반기부터 가동한다.
하워드 하이 인텔 대변인은 지난 10일 본지와의 인터뷰에서 현재 0.13미크론 공정을 적용해 ‘펜티엄4’를 생산하고 있는 오리건주 300㎜ 개발팹 D1C에 이어 뉴멕시코에 있는 300㎜ 전용팹 fab11x를 오는 3분기부터 가동을 시작할 예정이라고 밝혔다.
하이 대변인은 내년에는 2∼3개의 300㎜ 생산라인을 최신 200㎜ 팹에 증설해 연말까지 300㎜ 공정을 적용한 팹을 4∼5개로 늘릴 것이라며 추가 물색중인 팹은 올 4분기 가동을 시작하는 200㎜ 신규팹 fab12를 비롯해 미국내 최신팹 2, 3개가 될 예정이라고 설명했다.
하이 대변인은 인텔이 이미 D1C 개발팹을 통해 300㎜ 웨이퍼 양산기술 개발을 완료했으며 이같은 공정을 다른 신규팹에도 레이아웃에서부터 장비까지 동일하게 적용하는 ‘copy exactly!’ 기술을 통해 빠른 수율 회복이 가능하다고 설명했다.
인텔은 이를 바탕으로 최근 90나노미터(㎚) 공정을 적용한 S램 셀 개발에 성공한 만큼 내년 하반기부터는 300㎜ 생산라인에 회로선폭 기술을 90㎚로 전환하고 2005년에는 65㎚로 바꿀 계획이다.
하이 대변인은 “인텔은 기술개발이 끝나면 개발 팹에서 생산을 시작하고 이를 다시 대량생산 팹으로 그대로 옮겨 단기간에 수율을 향상시키는 공정기술이 누구보다 앞서 있다”면서 “300㎜ 전용팹 양산체제가 확보되면 총 생산량은 200㎜보다 240%, 0.13미크론 공정까지 적용하면 500% 이상 늘어나 원가 및 생산성 혁신을 가져올 것”이라고 말했다.
<정지연기자 jyjung@etnews.co.kr>