반도체 장비의 나노미터(㎚) 크기 오염 입자까지 측정할 수 있는 기술이 국내 연구진에 의해 개발됐다.
한국표준과학연구원의 정광화 박사팀은 레이저 백열법(LII:Laser-Induced Incandescence)을 이용, 반도체 제조 플라즈마 공정에서 발생하는 나노미터 크기의 오염 입자를 측정하는 기술을 세계 최초로 개발했다고 30일 밝혔다.
LII는 원래 연소가스 측정법으로 고안된 것으로 진공 중의 입자가 높은 에너지의 레이저광과 충돌해 가열되면 복사선을 내게 되는데 이 복사선의 세기로부터 오염 입자의 농도를, 복사선의 상승 및 소멸시간으로부터 입자 크기를 측정한다. 이 측정기술은 반도체 제조공정인 플라즈마 증착공정 및 식각공정에서 발생하는 오염 입자의 크기를 측정할 수 있어 공정개선뿐만 아니라 차세대 반도체 공정 및 나노소자 제작 공정에서도 사용될 수 있는 핵심기술이다.
정광화 박사는 “소자의 선폭이 100㎚ 정도로 좁아지고 있는 반도체 소자공정에서 발생하는 나노입자에 의한 오염은 생산성 저하의 원인이 되고 있다”며 “특히 향후 나노소자 제작 공정에서는 더 심각해질 것이기 때문에 이번 측정기술은 나노소자 개발의 핵심기술로 사용될 것으로 예상된다”고 밝혔다.
<권상희기자 shkwon@etnews.co.kr>