삼성전자가 반도체부문에 대한 투자계획을 전면 수정한다.
삼성전자(대표 윤종용)는 플래시메모리·LCD구동칩(LDI) 등 D램 이외의 품목에서 공급부족(쇼티지) 현상이 벌어지자 이 부문에 대한 생산량 증대를 위해 메모리 라인 전환과 신규 메모리 라인 증설 등을 적극 검토중인 것으로 알려졌다. 삼성이 검토중인 라인증설 부문은 플래시메모리를 생산하는 기흥 6, 7라인과 최근 수요증가로 가동률이 100%에 육박하고 있는 시스템LSI(비메모리) 생산라인, 그리고 쇼티지 현상을 빚고있는 0.18㎛ 공정 등이다.
삼성은 이를 위해 지난 2000년 건설에 들어갔다 중단한 온양 비메모리 전용 공장 설립을 재추진하는 방안과 D램 라인을 플래시메모리·비메모리 등으로 전환하는 방안을 구체화하고 있는 것으로 알려졌다.
또 이로 인해 발생하는 D램 생산량 부족분과 장기적인 생산능력 확대를 위해 당초 발표한 11라인의 300㎜ 웨이퍼 가공능력을 월 3000장에서 7000장으로 증설하고 추가증설 방안여부도 신중히 검토키로 했다.
삼성은 이를 위해 온양공장의 라인 세트업 등을 담당할 태스크포스(TFT)를 최근 재구성한 것으로 확인됐다. 또 지난 21일 열린 이사회에서는 지난달 1분기 기업설명회(IR) 때와는 달리 추가 투자분 7400억원 중 5551억원만을 확정, 나머지 금액의 사용처에 대한 궁금증을 불러 일으키기도 했다.
업계 일각에서는 삼성이 공급부족 사태를 빚고있는 품목에 대한 생산능력을 확대하고 하반기 메모리시장 회복을 대비해 온양공장과 12라인의 추가설립을 빠른시일 내 확정할 것으로 보고 있다.
업계는 삼성이 쇼티지현상을 해소하기 위해 일단 D램 라인을 타 품목으로 전환하고 D램수급을 위해 현재 300㎜ 웨이퍼 3000장, 200㎜ 1만5000여장을 가공하는 화성 11라인의 D램 생산능력을 확대하는 데 초점이 맞춰질 것으로 내다봤다.
삼성전자 관계자는 “일부 품목과 생산라인에서 쇼티지현상이 벌어지고 있는 것은 사실”이라면서 “그러나 투자계획은 신중해야 하는 상황이어서 모든 가능성을 열어놓고 재검토하고 있다”고 말했다.
<정지연기자 jyjung@etnews.co.kr>