“차세대 증착기술인 원자층증착(ALD)과 관련해 우리나라의 기술수준은 세계적입니다. 지난해 미국 캘리포니아에서 치러진 1회 국제행사에 이어 2회 국제행사가 한국에서 열릴 수 있었던 것은 바로 이 때문입니다.”
‘원자층증착(ALD)2002’ 행사의 의장을 맡은 전형탁 한양대 신소재공학부 교수는 한국의 ALD 관련 장비 및 재료기술이 세계에서 주목받을 만큼 성장해 있다며 미국진공학회(AVS) 박막분과회의의 한국 개최 의미를 설명했다.
화학기상증착(CVD) 공정에 관한 기술력은 미국이 가장 앞서 있지만 한국은 오래 전부터 이를 대체할 수 있는 ALD 기술에 눈을 돌려 괄목할 만한 성과를 거두고 있기 때문에 미국과 유럽의 장비 및 재료회사들이 우리나라를 예의주시하고 있다.
“고속처리 능력을 요구하는 로직 등 비메모리 분야에서 처리속도 향상에 결정적인 영향을 미치는 고유전(high-k) 물질의 개발은 시급히 해결해야 할 과제입니다. 이 점에서 고유전물질이 반도체 산업계의 화두로 등장하고 있고 이에 관한 연구 또한 세계적으로 활발히 진행되고 있습니다.”
최근 1∼2년 사이 ALD 장비 및 재료에 대한 세계적 이목이 집중되고 있는 이유는 점차 반도체 소자가 소형화, 미세화됨에 따라 전공정(front-end)인 게이트 산화막(gate oxide) 증착공정이 중요해지고 있기 때문이다.
ALD를 이용한 게이트 산화막 증착공정에 대한 연구는 아직 초기 단계에 머물러 있다. 하지만 기술보편화 시기를 앞당기기 위해 활발한 연구가 이뤄지고 있고 테라급 소자 개발이나 나노기술을 한단계 업그레이드하기 위해선 고유전막과 낮은 전력손실값을 가지는 새로운 기술개발이 필수적이라는 점에서 ALD의 중요성은 날로 증대되고 있다는 게 전형탁 교수의 설명이다.
“지난해 캘리포니아에서 처음 열린 대회에서 회원들의 만장일치로 2회 행사 개최지를 한국으로 결정했습니다. 단순히 권위있는 국제 학술대회가 한국에서 치러진다는 의미뿐 아니라 지금까지 선진국 뒤를 따르던 국내 반도체 기술이 세계 수준으로 급성장했음을 증명한 것입니다.”
전 교수는 미국 노스캐롤라이나주립대학에서 재료과학부문의 박사학위를 받았으며 현대전자 연구원을 거쳐 92년부터 한양대 신소재공학부 교수로 재직중이다.
<손재권기자 gjack@etnews.co.kr>
<최정훈기자 jhchoi@etnews.co.kr>