AMD코리아(대표 박치만)는 미국 본사에서 ‘FinFET’ 설계를 이용해 세계 최소형 더블 게이트 트랜지스터 기술을 개발, 제조하는 데 성공했다고 12일 밝혔다.
AMD가 개발한 최소형 트랜지스터는 10나노미터(㎚) 크기(게이트)로 지금까지 개발된 가장 작은 크기의 트랜지스터보다 80% 이상 작지만 기존 트랜지스터보다 10배 이상 증가한 10억개의 트랜지스터를 집적할 수 있다.
AMD측은 자체 개발한 ‘FinFET’ 설계는 얇은 수직 실리콘인 ‘Fin’을 활용해 트랜지스터가 작동을 하지 않을 때도 전류가 누설되는 것을 방지할 수 있어 전류를 효율적으로 배가시키는 특징이 있다고 밝혔다.
이 제품은 AMD와 버클리·캘리포니아 대학의 공동 연구로 개발됐으며 AMD의 서브미크론 개발센터에서 만들어졌다.
크레이그 샌더 기술개발담당 부사장은 “새로운 개념의 FinFET 트랜지스터를 개발해 AMD는 초고성능 트랜지스터 제품을 지속적으로 공급할 수 있게 됐다”며 “이 제품은 향후 10년 이내에 제조될 것으로 예상되는 나노 크기의 CMOS 세대를 대체할 만한 유력한 후보 기술 가운데 하나가 될 것”이라고 말했다.
<손재권기자 gjack@etnews.co.kr>