하이닉스반도체(대표 박상호·우의제)는 0.10미크론의 초미세 회로선폭 기술을 적용한 512메가 더블데이터레이트(DDR) SD램 개발에 성공했다고 29일 밝혔다.
이번에 개발한 제품은 기존 0.15미크론급 블루칩 기술과 0.13미크론급 프라임칩 기술보다 한단계 개선된 골든칩(golden chip) 기술을 적용했으며 연말부터 본격 양산될 예정이다.
골든칩 기술은 기존 프라임칩 공정기술에서 사용했던 장비를 추가 투자 없이 0.10미크론급 제품양산에 적용할 수 있어 경쟁사 대비 설비투자 비용을 50% 가량 줄일 수 있다는 게 하이닉스반도체측의 설명이다.
특히 공정 미세화 수준이 0.10미크론인 골든칩 기술은 0.13미크론인 프라임칩 기술에 비해 웨이퍼 한 장에서 생산가능한 칩의 개수를 40% 이상 늘릴 수 있어 가격경쟁력 제고에 도움을 줄 것으로 기대된다.
골든칩 기술이 적용된 512메가 DDR SD램은 PC 및 서버의 메인 메모리용 제품으로, 시장 수요에 대응할 수 있도록 DDR266은 물론 차세대 제품인 DDR333 및 DDR400도 완벽하게 지원한다.
하이닉스반도체는 이천·청주·미국 유진 등 국내외 반도체 제조공장 어디에나 적용가능한 통합 설계기술과 골든칩 기술을 확보함에 따라 급변하는 시장 환경에 효과적으로 대응할 수 있을 것으로 기대하고 있으며 내년 상반기중에는 골든칩 기술을 적용한 256메가 DDR SD램 양산과 더불어 세계 최초로 1기가 DDR SD램을 양산한다는 계획이다.
<최정훈기자 jhchoi@etnews.co.kr>