국제고체회로학회(ISSCC:International Solid-States Circuits Conference)가 주최하는 ‘2003 학술논문 프레스 릴리스’가 12일 오후 5시부터 7시까지 신라호텔에서 열렸다.
ISSCC는 학술적으로 의미있는 논문을 선정, 공개하는 행사로, 매년 미국 또는 일본에서 2월과 11월에 열려왔으나 개최지를 옮겨 우리나라에서 갖기는 이번이 처음이다.
이날 행사에는 팀 트레드웰 ISSCC 회장을 비롯해 학회 주요 위원, 반도체 업계 및 연구소 핵심 관계자, 관련학과 교수 등 50여명이 참석했다.
반도체관련 학회 중 가장 오랜 역사와 세계 최고의 권위를 가진 ISSCC가 한국에서 행사를 가진 것은 우리나라가 메모리 생산능력 1위의 위상은 물론 학술적으로 세계 최고수준에 이른 것으로 평가됐기 때문으로 풀이된다.
실제 ISSCC가 채택한 상위권 우수논문 15편 가운데 일본 반도체업계가 5편, 미국업계 3편, 캐나다의 대학이 1편인 반면 국내 논문은 6편으로 국가별로는 가장 많은 비중을 차지했다.
국내 논문 6편은 모두 삼성전자가 제출한 것으로 저전압·고속 72Mb DDR3 S램, 2Gb 낸드(NAND)형 플래시메모리, 초고속 512Mb DDR2 , 저전압 256Mb SD램 등 D램, 플래시메모리, S램 등 메모리 전분야에 대한 고급기술을 망라하고 있다.
이날 행사에서는 ISSCC 위원으로 활동중인 하이닉스반도체 정진용 상무, 삼성전자 황창규 사장 등이 각각 개회사와 축사를 발표하며 행사가 한국에서 처음 개최된 데 대한 감회를 피력했으며 업계의 설계담당 임원들이 선정된 논문의 요지를 소개했다. 또 한국과학기술원(KAIST) 유회준 교수는 폐막사와 내년도 학회 운영계획을 발표했다.
한편 ISSCC는 전세계 150개국, 300개 거점에 37만7000여명의 회원을 가진 전자공학 관련학회인 IEEE(The Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.) 산하 반도체학회로, 매년 우수논문을 선정, 발표하고 있으며 이번에 선정한 논문은 내년 2월 ISSCC 콘퍼런스를 통해 발표할 예정이다.
<최정훈기자 jhchoi@etnews.co.kr>