산업자원부는 올해부터 고전압·고주파 전력용 소자개발에 필요한 실리콘카바이트(SiC) 반도체 응용기술을 확보하고 시제품 제작에 본격 나선다.
10일 산자부는 올해부터 2004년까지 2년간 추진될 SiC반도체 개발 2단계 사업에 정부예산 28억4000만원을 포함, 총 46억5000만원을 투입하기로 했다.
이번 사업은 총괄주관기관을 맡은 한국전기연구원(총괄책임자 김은동 박사)을 비롯해 이츠웰·한국쌍신전기·네오세미테크 등이 참여해 1단계 사업에서 확보한 세계 최고 수준의 저전력손실 SiC반도체 기술을 기반으로 사업화 가능성이 높은 분야의 시제품 제작까지 추진하게 된다.
특히 △고전압 SiC 쇼프키 다이오드 △고주파 SiC FET 전력증폭 소자 △SiC 단결정 성장 및 웨어퍼 제조기술 개발에 나섬으로써 고부가가치 핵심소재의 국내 양산기술도 확보할 방침이다.
SiC반도체는 전력공급장치와 자동차·항공기 분야에서 사용가치를 인정받고 있는 대표적인 화합물반도체다. 특히 기존 실리콘반도체보다 전압이 높고 전류량이 많은데다 고온에서 동작이 가능하고 전력손실도 줄일 수 있어 미국·일본 등 선진국에서도 연평균 45% 이상 성장하는 세계 시장을 선점하기 위해 국가 주도로 기술확보에 적극 나서고 있다.
<김종윤기자 jykim@etnews.co.kr>