삼성전자(대표 윤종용)가 현존하는 S램 가운데 최고 속도 및 최대 용량인 72메가(M) 더블데이터레이트(DDR)3 S램을 세계 최초로 개발, 대용량 S램 시대를 열었다.
DDR3의 데이터 처리속도는 1초에 200자 원고지 48만장을 처리할 수 있는 1.5 (초당 15억비트의 데이터 처리)로 S램 중에서 가장 빠른 속도다.
이 제품은 90나노미터(㎚) 공정기술을 기반으로 셀(cell) 면적을 0.79㎛²로 축소해 S램의 단점으로 지적돼온 집적도 문제를 해소했으며 1.2V 전원에서 작동할 수 있는 저전력 특성을 갖춰 서버나 워크스테이션 등에서 캐시(cache) 메모리로 주로 사용된다.
일반적으로 나노급 반도체를 제조하려면 불화아르곤(ArF) 노광(리소그래피)공정을 사용해야 하므로 차세대 스캐너 도입에 따른 막대한 비용이 들지만 삼성은 기존의 불화크립톤(KrF) 리소그래피 공정에서 나노미터 공정을 구현할 수 있는 독자적인 셀 구조를 적용해 원가경쟁력을 끌어올렸다.
10여건의 특허가 출원된 72M DDR3 S램 설계 및 공정기술은 지난해 12월 미국 샌프란시스코에서 열린 IEDM(International Electron Device Meeting) 반도체학회에서 소개돼 세계적으로 공인받은 바 있으며 다음달 열리는 ISSCC(International Solid-State Circuits Conference) 정기총회에서 2003년 최우수논문으로 선정, 공개된다.
세계 S램시장의 30% 이상을 점유, 8년 연속 1위를 고수하고 있는 삼성은 이미 생산중인 36M DDR3 S램에 이어 하반기에는 72M DDR3 S램도 양산해 시장지배력을 높인다는 계획이다.
<최정훈기자 jhchoi@etnews.co.kr>