미국의 반도체 시장조사 전문기관 IC인사이츠는 화합물반도체시장이 2007년까지 매년 실리콘반도체시장의 두배에 이르는 약 22%의 고성장을 기록할 것이라고 10일 밝혔다.
IC인사이츠에 따르면 갈륨비소(GaAs), 실리콘게르마늄(SiGe), 인듐인(InP) 등의 화합물반도체는 그동안 발광다이오드 등 틈새시장에만 쓰였으나 최근 3세대 이동통신 등 차세대 응용기기 개발로 대량생산체제로 전환되고 있다.
특히 갈륨비소는 현재 화합물반도체시장의 87%를 차지하고 있으나, 실리콘게르마늄이 2004년부터 강한 성장을 보여 2007년에는 화합물반도체시장의 33%를 차지할 것으로 IC인사이츠측은 전망했다. 이는 실리콘게르마늄이 200㎜ 일관생산공장(FAB:팹) 상보성금속산화막반도체(CMOS) 공정에서 경제성이 있으며 저전력, 고밀도, 고속 블루투스, 무선랜 등에 적용할 수 있는 이종접합트랜지스터(HBT) 공정기술을 사용할 수 있기 때문이라고 분석했다.
<손재권기자 gjack@etnews.co.kr>