하이닉스반도체(대표 우의제)는 미국 오리건주 유진공장의 D램 생산능력을 확대하기 위해 1억달러를 투자할 계획이라고 13일 밝혔다.
유진공장의 파하드 타브리지 마케팅부문 상무는 “1억달러는 D램 제조공정 미세화 등 시스템 업그레이드에 사용되며 이에 따라 0.13μ 공정의 프라임칩 생산량은 50% 가량 확대될 예정”이라고 말했다.
한편 하이닉스반도체는 지금까지 총 16억달러를 투자해 256Mb SD램과 DDR DD램 등을 생산해오고 있다.
<최정훈기자 jhchoi@etnews.co.kr>