하이닉스반도체(대표 우의제)가 미국의 상계관세 부과로 설비투자에 적극 나서지 못할 것이라는 예측과 달리 올해 증설 및 신규설비에 7500억원 가량을 투자하며 하반기 시장상황이 호전될 경우 금액을 더 늘릴 계획이라고 밝혀 주목된다.
9일 업계에 따르면 하이닉스반도체는 최근 150여명의 장비 및 소재관련 협력업체 관계자들을 대상으로 경영설명회를 열고 올해 7500억원 가량이 투입되는 반도체 설비투자 계획을 밝혔다.
하이닉스 한 관계자는 “올해는 고속 SD램과 차세대 메모리 관련 공정 업그레이드를 통해 기술 및 가격 경쟁력 향상에 주력할 예정”이라고 말했다.
하이닉스는 시장추이를 봐가며 300㎜ 웨이퍼 가공공장의 신설도 추진할 예정이다. 하이닉스는 더블데이터레이트(DDR) 400㎒ SD램을 겨냥, 기존 설비를 업그레이드하는 한편 F램과 M램과 같은 차세대 메모리 상용화 작업에도 박차를 가한다는 전략이다. 또 주력 회로공정 미세화 수준을 기존 0.15미크론에서 0.13미크론으로 완전 전환하고 0.11미크론의 초기도입 비중도 확대할 예정인 것으로 알려졌다.
<손재권기자 gjack@etnews.co.kr>