삼성전자가 다음달 노무현 대통령의 방미를 앞두고 미국에 5억달러의 투자를 단행한다.
삼성전자 관계자는 24일 “오스틴 공장의 기존 설비가 0.13미크론에서 0.15미크론 급으로 낙후돼 있어 0.10미크론 이하 수준의 첨단 D램 생산라인으로 전환할 계획”이라면서 “투자금액은 첫해 1억달러에 이어 매년 일정 규모가 투입되며 총 투자액은 최소 2억달러에서 최대 5억달러에 이를 것”이라고 밝혔다.
이 관계자는 이어 “다음달 초 설비 반입식을 가질 계획”이라고 말했다.
다음달 초에 있을 설비 반입식 행사에는 부시 미국 대통령의 아버지인 조지 부시 전 미국 대통령을 비롯해 릭 페리 텍사스주지사 등이 참석하며 삼성전자 측에서는 이윤우 사장이 참석할 예정이다.
이번 반입식은 내달 11일 시작되는 노 대통령의 방미에 앞서 한미간 경제우호 분위기 조성을 위해 반입식 행사 일정을 조정한 것으로 알려졌다. 이건희 삼성그룹 회장도 이번 노 대통령의 방미 사절단에 참여한다.
삼성이 미주시장을 겨냥해 지난 98년부터 가동을 시작한 오스틴 공장은 현재 200㎜ 웨이퍼 월 3만장에 달하는 생산라인을 운영중이며 256M DDR SD램을 생산중이다.
삼성은 최대 5억달러를 투입, 이 라인에 불화아르곤(Ar-F) 스캐너를 구입하지 않고도 불화크립톤(Kr-F) 스캐너로 미세회로공정에 대응할 수 있는 노광(리소그래피) 기술을 적용할 것으로 알려졌다.
<정지연기자 jyjung@etnews.co.kr>