삼성전자가 나노 미세공정에 사용되는 불화아르곤(ArF) 노광 및 현상시스템 데모용 장비를 도입, 내년부터 나노 D램 양산체제에 돌입한다.
AMD 등 비메모리 업체의 경우 나노공정을 일부 도입해 반도체를 생산하고 있으나 D램 메모리라인에 도입되기는 삼성전자가 처음이다.
현재 회로패턴이 비교적 간단한 플래시메모리의 경우 불화크립톤(KrF) 시스템을 업그레이드해 나노공정을 시도하고 있으나 D램의 경우 회로패턴이 복잡해 ArF시스템 도입이 불가피하다.
10일 관련업계에 따르면 삼성전자는 이달말이나 다음달초 300㎜ 웨이퍼용 ArF 노광 및 현상시스템 2세트를 도입키로 하고 장비업체를 상대로 장비 발주계약을 맺은 것으로 확인됐다.
이번 장비발주에 참가한 업체는 ASML·캐논 등 노광장비 2개 업체와 동경엘렉트론·디엔에스 등 현상장비 2개 업체인 것으로 알려졌다.
삼성전자는 이들 업체로부터 장비를 넘겨받아 기흥반도체 공장내 메모리연구소와 화성 반도체공장 12라인에 각각 1세트씩 설치할 방침이다.
업계 한 관계자는 “이들 장비는 삼성전자가 ArF 양산 시스템을 본격 도입하기에 앞서 필드테스트용으로 도입하는 것으로 알고 있다”며 “반도체 생산기지인 기흥과 화성에 각각 이들 데모장비를 도입함으로써 삼성전자내 엔지니어들이 폭넓게 ArF시스템을 경험할 수 있을 것”이라고 말했다.
삼성전자는 또 이번 데모용 장비 2세트 도입과 별도로 오는 9월께 화성공장 11라인에도 데모용 ArF시스템을 도입, 나노메모리 양산을 위한 전방위 준비체제를 갖춰나갈 것으로 알려졌다.
이에 따라 삼성전자는 내년 2분기로 예상되는 12라인 3단계(페이즈3)와 13라인 1단계 등 300㎜ 양산라인에 처음으로 ArF시스템을 도입할 것으로 업계 관계자들은 내다보고 있다.
전문가들은 최근 300㎜ 웨이퍼 양산라인 증설에 나서 D램 생산량의 부동의 1위자리를 지켜나가고 있는 삼성전자가 ArF시스템을 도입해 공정을 나노급으로 업그레이드한다면 향후 고집적 기가급 D램시장에서도 선두자리를 꿰찰 것으로 예상하고 있다.
이에 대해 삼성전자 관계자는 “일단 90나노 이하의 D램 생산을 위해서는 ArF시스템 도입이 불가피한 만큼 데모용 장비를 발주하는 것은 사실”이라면서도 “ArF시스템이 구체적으로 어떤 라인에 설치될지는 결정된 바 없다”고 말했다.
한편 ArF시스템은 0.11미크론(㎛) 공정까지 대응이 가능한 KrF시스템을 대체해 90㎚ 이하의 메모리 양산을 가능하게 해주는 핵심 장비다.
<장지영기자 jyajang@etnews.co.kr>