주성엔지니어링(대표 황철주·트렁도운 http://www.jseng.com)은 회전형 가스분사기를 도입한 반도체 박막증착시스템과 기술에 대한 미국특허를 취득했다고 9일 밝혔다.
이번 특허를 취득한 기술은 웨이퍼 생산성을 높이기 위해 하나의 반응 체임버에서 여러개의 웨이퍼를 증착할 수 있는 것으로 회전형 가스분사기 및 주입기가 도입된 것이 특징이다.
회사측은 “다수의 웨이퍼 위로 가스분사기 및 주입기가 돌아가며 균질한 박막을 입히기 때문에 웨이퍼를 하나씩 처리하던 기존 매엽식 증착시스템보다 생산성이 4배 가량 높다”고 설명했다.
이 회사는 이 특허기술을 차세대 증착장비로 꼽히는 원자층증착기(ALD)에 적용, 생산성을 제고한다는 방침이다.
이 회사 관계자는 “회전형 분사기술을 도입해 현재 웨이퍼 4장을 동시에 처리할 수 세미 배치(semi batch)타입의 ALD 개발을 끝낸 상태”라며 “일반 화학기상증착기(CVD)에 비해 균질한 박막을 형성할 수 있지만 생산성이 낮아 상용화가 더딘 ALD의 단점을 크게 개선할 것으로 기대된다”고 말했다.
한편 이 회사는 세미 배치타입 ALD와 별도로 CVD와 ALD 공정을 번갈아 수행할 수 있는 퓨전타입의 반도체 증착기술도 보유하고 있다.
<장지영기자 jyajang@etnews.co.kr>