하이닉스반도체(대표 우의제)는 최근 0.11미크론(㎛) 공정을 적용한 256M 더블데이터레이트(DDR) SD램 양산에 들어갔다고 24일 밝혔다.
하이닉스반도체측은 지난달 초 0.11미크론 샘플을 출시한 뒤 자체적으로 까다로운 테스트를 진행, 내부 품질인증을 최종 획득했으며 이에 따라 최근 이천과 청주 공장에서 0.11미크론 제품 양산에 돌입했다고 설명했다.
0.11미크론 공정을 적용할 경우 0.13미크론 공정에 비해 40% 이상의 생산성 향상이 가능해 원가 경쟁력을 향상시킬 수 있고 생산량도 대폭 늘릴 수 있다는 게 회사측의 설명이다.
회사측은 또 경쟁사 대비 3분의1 정도의 투자만으로 0.11미크론 공정 설비를 확보, 투자 리스크를 최대한 줄이면서 첨단 반도체 생산공법을 확보하게 됐다고 덧붙였다.
하이닉스반도체 한 관계자는 “최소한의 투자를 통해 0.11미크론 D램 양산을 시작함으로써 대량 생산을 통한 수익 확대의 기대감이 높아졌다”며 “해외 경쟁사보다 한발 앞선 기술력을 보유하게 된 만큼 향후 본격적인 나노급 반도체 공정 개발을 위한 R&D에 전력을 다할 것”이라고 말했다.
<최정훈기자 jhchoi@etnews.co.kr>