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낸드형 플래시메모리가 휴대폰시장 진출을 시도하고 있는 가운데 노어형 진영이 집적도 향상과 새로운 기술 방식 개발 등을 통한 수성에 총력을 기울이고 있다. 지금까지 휴대폰용 시장은 노어형이 장악하고 있었으나 낸드형이 저가·고용량을 무기로 디지털카메라, USB 저장장치에 이어 새롭게 진출을 시도하고 있는 것이다.
노어 진영은 최근 MBC(Multi-Bit Cell)기술과 미세 공정 기술로 집적도를 높이는 한편, 가격을 인하함으로써 휴대폰 시장을 방어하고 있으나 낸드진영의 공세에 촉각을 곤두세우고 있다. 삼성전자, 도시바에 이어 후발업체들이 잇따라 참여하면서 시장을 넓히고 있는 낸드진영과 FASL, 인텔이 대대적인 반격을 준비하고 있는 노어진영간 각축이 더욱 치열해 지고 있다.
◇낸드형 진격=아이서플라이에 따르면 지난해 3·4분기부터 낸드형 플래시메모리 시장이 급성장, 주 생산업체인 삼성전자와 도시바가 각각 1위와 3위를 차지하며 지난해 시장 점유율에서 노어형을 앞질렀다. 하이닉스 관계자는 “카메라폰, MP3폰 등의 등장으로 휴대폰 내에 고집적 메모리가 필요하게 돼 향후 휴대폰용 낸드형 시장이 커지게 될 것”이라고 말했다.
이와 함께 인피니언, 하이닉스 등 신규 플래시메모리 업체들이 휴대폰 채용에 적합하도록 임베디드 플래시메모리 기술을 개발하고 있는데다 노어형보다 저렴하다는 점을 내세워 휴대폰 시장 잠식을 시도하고 있다.
◇노어형, 고집적 전략으로 맞서=이에 대해 플래시메모리 분야의 2위 업체인 FASL과 4위 업체인 인텔이 고직접화 전략으로 수성에 나선다. FASL과 인텔은 모두 각각의 MBC방식과 미세 공정 기술을 개발해 올해 본격적으로 양산에 적용한다.
FASL은 미러비트 기술로 데이터를 손상하지 않고 기존 플래시메모리 셀보다 두 배나 많은 데이터를 저장할 수 있는 아키텍처를 지난해 개발한데 이어, 2세대 고용량 제품 양산에 본격적으로 적용한다. 인텔도 플래시메모리 셀의 부통 게이트 내에 전하를 등분해 저장하는 방식인 MLC(Multi-Level Cell)기술을 통해 고용량화를 시도하고 있다. 이와 함께 양사는 올해내에 90나노 공정 기술을 양산적용, 제품 크기를 줄이는 방식으로 집적도를 높혀가고 있다. 이를 통해 현재 주력인 64·128·256Mb에서 더 나아가 512Mb와 1Gb 이상의 제품을 양산한다는 전략이다.
FASL의 대주주인 AMD측 관계자는 “노어형은 MBC 기술과 미세공정을 활용한 고집적화를 통해 가격을 낮추는 방식으로 휴대폰에서의 비교우위를 계속 지켜나갈 수 있을 것”이라고 말했다.
◇어떻게 될까=업계에서는 2∼3년 뒤에는 휴대폰용 저장장치 시장에서 낸드형과 노어형의 용량 문제가 대부분 해소될 것으로 보여 결국 노어형이 얼마나 저렴하게 제품을 공급할 수 있느냐가 관건이 될 것으로 전망했다.
한국IDC 김수겸 이사는 “낸드형의 휴대폰 시장으로의 진입은 기정 사실이지만 인텔과 FASL이 2∼3년내에 3Gb 및 5Gb 노어형 플래시메모리 양산 로드맵을 제시하고 있어 당분간 시장에서 혼전이 예상된다”고 분석했다.
<심규호기자 khsim@etnews.co.kr><김규태기자 star@etnews.co.kr>