미국 반도체업체인 램트론인터내셔널이 세계 처음으로 1메가비트(Mb) F램을 개발했다고 반도체 전문 인터넷 뉴스사이트인 실리콘스트래티지스가 31일 보도했다.
램트론은 신제품에 0.35마이크론 공정 기술을 적용했고 접속시간(액세스 타임)은 55나노미터(nm)라고 설명했다. 램트론의 파운드리(수탁가공생산) 파트너사인 일본 후지쯔가 이 제품을 생산하며 올 여름께 샘플을 선보일 예정이다.
마이클 알와이스 램트론 부사장은 “현재 F램중 가장 고밀도인 제품이 256킬로비트(Kb)”이라며 “이번에 우리가 1메가급 F램 개발에 처음으로 성공함으로써 F램 시장이 더욱 탄력을 받게 될 것”이라고 강조했다.
램트론이 개발한 F(Ferroelectric)램은 차세대 반도체로 D램의 대용량 데이터 저장과 S램의 고속동작이 기능하며 전원이 꺼져도 기록된 데이터가 지워지지 않는 장점을 갖추고 있다.
<방은주기자 ejbang@etnews.co.kr>