ST마이크로, 하이닉스와 별도의 자체 플래시메모리 생산라인 구축

 ST마이크로 일렉트로닉스가 하이닉스반도체 청주공장을 통한 플래시메모리 양산과는 별도로 싱가포르에 자체 플래시메모리 생산라인을 갖추고 양산에 돌입할 계획인 것으로 확인됐다. 또 ST마이크로와 하이닉스는 양사 간 협력기간을 5년간으로 계약한 것으로 확인했다. 이에 따라 ST마이크로가 장기적으로 하이닉스반도체와는 별도의 독자노선을 계획하고 있는 것이 아닌가 하는 추측이 나오고 있다.

ST마이크로 본사 필립 버지(Philippe Berge) 메모리마케팅 디렉터는 본지와의 전화 통화에서 “ST마이크로는 하이닉스 생산라인과는 별도로 싱가포르에 자체 제조시설을 갖추고 생산을 시작할 것이며 이를 위해 현재 싱가포르에 활발한 투자를 진행하고 있다”고 31일 말했다.

이는 지금까지 알려진 ST마이크로의 플래시메모리 양산 로드맵과는 다른 것으로, 당초 ST마이크로는 하이닉스를 통해서만 플래시메모리를 양산하는 것으로 알려져 왔다.

아직 싱가포르 공장의 생산일정 및 양산규모는 확정되지 않았지만 ST마이크로는 단기적으로는 하이닉스를 통한 양산을, 그리고 장기적으로는 병행 생산 또는 독자 생산을 계획하고 있는 것으로 추정된다.

이와 관련 하이닉스반도체 홍보실측은 “일련의 내용은 ST마이크로와의 내부적 합의사항이기 때문에 일체 밝힐 수 없다”고 말했다.

ST마이크로 본사측은 또 현재 하이닉스를 통해 생산되고 있는 1기가 및 512메가 제품의 미세공정과 관련해 “120나노 미세가공기술을 사용하고 있다”고 밝혔다. 주요 외신들은 31일 “ST마이크로가 3월 초부터 1기가비트(Gb)와 512메가비트(Mb) 두 종류의 낸드형 플래시메모리 양산에 돌입했으나 미세가공기술은 알려지지 않았다”고 보도한 바 있다.

ST마이크로 본사는 또 “현재 올해 출시를 목표로 90나노를 사용한 2기가비트 제품을 개발하고 있다”며 “70나노 공정도 내년 1분기부터 도입할 계획”이라고 밝혔다.

노어형 플래시메모리에 주력해 온 ST마이크로는 낸드플래시 시장 진출을 위해 지난해 4월부터 하이닉스반도체와 협력 체제를 구축해 왔다. 최근에는 두 회사가 중국에 합작사 설립을 추진하고 있다는 보도가 나온 바 있다.

<심규호기자 khsim@etnews.co.kr><김규태 star@etnews.co.kr>