ST마이크로가 전력반도체 절연게이트양극성트랜지스터(IGBT) 및 파워 금속 산화막 반도체 전계효과트랜지스터(MOSFET)을 위한 신형 게이트 드라이버를 출시했다고 ST마이크로한국지사(대표 이영수)가 29일 밝혔다.
회사측은 신제품이 제어 및 보호 기능을 통합해 1200V 3상 인버터, 모터 제어, 무중단 전원장치 같은 고신뢰성 시스템에 적합하다고 설명했다. 또 이 부품은 모든 제어 및 보호 기능을 단일 칩에 통합, 신뢰성 있는 시스템을 간편하게 설계할 수 있도록 했다고 강조했다.
ST마이크로 관계자는 “저전압 탐지 기능을 이용해 저전압으로부터 애플리케이션을 보호하며 광커플러를 구동하도록 설계된 결함 핀을 이용해 결함 발생을 알 수 있도록 했다”고 말했다.
<김규태기자 star@etnews.co.kr>