삼성전자가 세계 반도체기술학회에서 맹위를 떨치며 최고의 반도체 기술기업임을 입증하고 있다.
삼성전자는 미국 하와이에서 15일부터 19일까지(현지시각) 일정으로 열리고 있는 2004년 VLSI 심포지엄에서 최다 논문을 발표해 지난해 12월 IEDM 최다 논문발표, 2004년 2월 ISSCC 최우수 논문선정에 이어 세계 3대 반도체 학회를 석권하는 그랜드슬램을 달성하게 됐다고 밝혔다.
VLSI 학회에서는 매년 세계 각국의 반도체 업계 및 학계가 응모한 논문 중 가장 뛰어난 성과를 보인 논문을 선정해 발표하며, 올해에는 총 215편이 선정됐다. 이 중 △ 50나노 이하급 차세대 트랜지스터 제조기술 △신물질(루테늄:Ru)을 적용한 구리 배선 기술 △70나노 NOR 플래시 및 저전력 D램 기술 △64Mb 대용량 P램 기술 등 총 22편의 삼성전자 차세대 반도체 기술이 발표됐다.
특히 삼성전자가 이번 학회에서 발표한 3차원 배열을 적용한 50나노 이하급 트랜지스터 제조기술은 칩의 크기를 기존 대비 4분의 1로 줄일 수 있어, 반도체 칩 축소기술의 한계를 극복할 차세대 기술로 큰 호응을 받았다. 또 3차원 트랜지스터 기술은 2007년 이후 예상되는 칩 축소기술의 한계를 극복할 해법을 제시한 것으로, 향후 높은 로열티 수입효과까지 기대되고 있는 획기적인 기술로 평가된다.
시스템 LSI 분야에서는 루테늄을 적용해 구리를 사용한 증착 공정의 문제점인 접착력 약화에 대한 해결방안을 제시했으며, 로직용 플래시 공정을 단순화 할 수 있는 신막질(Local Oxide Nitride Oxide Memory) 기술을 발표했다. 이외에도 인텔, IBM 등 세계적 업체들이 차세대 공정으로 연구하고 있는 역학적 자극을 통한 전자 활성화 공법(Mechanical Stress Engineering)이 노이즈를 일으킬 수 있다는 문제점을 제기하여 관심을 모았다.
삼성전자는 VLSI 학회에서 2002년 12편, 지난해에 21편, 올해 22편을 발표했으며 3대 메이저 반도체 기술 학회에서 지난해 12월부터 올해 6월까지 총 45편의 논문을 발표해 차세대 나노 반도체기술을 주도하고 있다.
<심규호기자 khsim@etnews.co.kr>