삼성전자(대표 윤종용)가 플래시메모리에 이어 D램에서도 세계 최초로 90 나노 미세공정을 도입했다. 삼성전자는 이달부터 300㎜ 라인에서 90나노 공정을 적용해 D램을 양산한다고 지난 8일 밝혔다.
플래시메모리와 시스템 LSI, CPU 분야의 경우 삼성은 물론 인텔과 대만 파운드리업체들이 90나노 공정을 도입했지만 D램에는 이번이 처음이다. 삼성이 90나노 공정으로 양산하는 제품은 512Mb DDR 400㎒와 DDR 333㎒다.
삼성전자는 △삼성의 독자적인 3차원 트랜지스터 제작 기술인 ‘RCAT(Recessed Channel Array Transistor)’ △D램의 데이터 저장 특성을 개선하기 위한 ‘고유전막 기술’ △나노급 초미세 회로 구현을 위한 ‘불화아르곤(ArF) 광원’ 등의 핵심기술을 적용, 세계 첫 90나노 D램 양산의 쾌거를 이뤘다.
◇90나노 512Mb D램 양산의 의미=일반적으로 나노공정은 100나노 미만(1미크론 미만)의 미세가공공정을 의미한다. 이 때문에 이번 삼성전자의 D램 90나노 공정 적용은 사실상 D램 나노시대의 본격적인 개막을 알리는 신호탄이다. D램 양산 공정에 90나노를 도입한 것은 삼성전자가 처음이며, 경쟁업체들은 한 단계(6개월∼1년) 낮은 0.11미크론 공정이나 그 이상급 공정을 적용하고 있다.
이번 90나노를 적용한 512Mb D램 첫 양산은 삼성전자가 또다시 경쟁업체들보다 한발 앞서 나갈수 있는 계기다. 삼성전자는 지난해 0.11미크론급 D램 양산 당시에도 경쟁업체에 비해 6개월∼1년 이상 앞서 착수하면서 D램 시장을 주도해 왔고, 경쟁업체들이 0.11미크론 전환에 어려움을 겪는 틈을 타 높은 수익률을 유지하고 있다.
더욱이 이번 90나노 공정은 기존 0.10미크론 공정에 비해 생산량이 약 40%나 증가하기 때문에 원가경쟁력 측면에서 512Mb 이후의 대용량 D램 제품에는 필수적으로 적용돼야 할 공정기술로 분석되며 삼성전자가 업계 처음으로 D램 생산에 적용함으로써, 강력한 원가경쟁력을 바탕으로 시장지배력이 더욱 강화될 것으로 예상된다.
◇주력 D램의 전환 가속화 계기=올해 하반기는 D램 시장의 주력제품이 256Mb에서 512Mb 이후의 대용량 D램으로 넘어가는 전환기로 예상돼 왔다. 이번 삼성의 90나노 512Mb D램은 이 같은 D램 시장의 급속한 전환을 가속화할 것으로 전망된다. 삼성전자의 D램 공정은 현재 0.11미크론급 이하가 90% 이상을 차지하고 있으며, 연말까지 95% 이상으로 비중을 확대해 나갈 예정이다. 이 가운데 90나노 비중은 연말까지 전체 D램의 5% 수준으로 확대할 계획이다.
특히 삼성전자는 이번 90나노 512Mb D램의 양산에 이어, 올해 말부터는 90나노 DDR2 제품도 양산을 시작하는 등 D램 전 제품으로 90나노 공정을 확대해 차세대 대용량 D램 시장을 공략할 계획이다.
경쟁사들의 경우 마이크론은 약 75%, 인피니언이 약 70%, 난야와 파워칩이 50% 이상, 하이닉스가 35% 이상을 0.11미크론 이하로 생산하고 있다.
심규호기자@전자신문, khsim@
