일본 히타치제작소와 엘피다메모리가 회로선폭 65㎚ D램용 고성능 ‘커패시터’를 개발했다고 니혼게이자이신문이 보도했다.
커패시터는 전기를 축적하는 장치로 트랜지스터와 더불어 D램의 기본 소자로 알려졌다. 이번 고성능화 성공에 따라 차세대 D램의 실용화가 탄력을 받을 것이라고 신문은 전했다.
이번에 개발한 커패시터는 대용량화를 위해 2개의 금속전극으로 절연막을 감싼 구조를 채택했으며 65㎚뿐만 아니라 45·32㎚급 D램에도 적용할 수 있을 것으로 기대된다. 히타치는 이 커패시터를 장착한 시스템 LSI를 내년 봄부터 양산하고 오는 2007년에는 D램도 실용화할 계획이다. 현재 65㎚세대 이후 커패시터 개발에서는 히타치, 삼성전자 등이 경쟁하고 있다.
명승욱기자@전자신문, swmay@