주성엔지니어링(대표 황철주)은 반도체 연구소에서 싱가포르 국립대 실리콘 나노소자 연구실 책임자 조병진 교수와 ‘초진공 선택적 에피텍셜층 성장장치(UHV SEG/ Ultra Hign Vacuum Selective Epitaxial Growth)’를 이용한 차세대 고성능 반도체 소자기술의 공동개발에 합의했다고 22일밝혔다.
주성엔지니어링 이영곤전무는 “이번에 체결한 공동기술 개발은 나노급 소자에서 전자의 이동속도를 300% 이상 향상시킴으로써 30㎚ 이하의 소자에서 한계에 도달한 현재의 기반기술을 극복할 수 있는 혁신적인 기술이 될 것으로 기대하고 있다”고 밝혔다.
싱가포르 국립대 실리콘 나노소자 연구실은 실리콘반도체 기술분야의 최고 권위학회인 IEDM과 학술지 IEEE 일렉트론 디바이스 레터에 올해 최다 연구논문을 발표한 대학 연구소다.
한편 주성은 지난 2002년에는 싱가포르 국립대와 산화막 증착용 장치를 개발해 현재 양산성 검증을 위한 평가를 진행 중이다.
심규호기자@전자신문, khsim@