삼성전자(대표 윤종용)는 D램·플래시메모리 등 메모리 기존라인 증설 및 업그레이드를 위해 7758억원, 시스템LSI 라인 생산량 확대를 위해 1430억원을 투입하는 등 총 9188억원 가량의 시설 투자를 결정했다고 18일 밝혔다.
메모리에 대한 투자는 기흥·화성의 6라인 이상 12라인 이하의 전반적인 설비 업그레이드에, 시스템LSI 투자는 기흥 6라인에 투입돼 DDI 수요 확대에 대응한다.
삼성전자측은 이번 투자는 연초 발표한 올 연간 시설투자 규모인 10조7000억원에 포함되는 것이라고 밝혔다.
한편 삼성전자는 D램 전용라인인 13라인의 생산량을 월 3만장에서 4만5000∼5만장 수준으로 늘리는 작업도 추진중이며 올 7월부터 300㎜ 낸드 플래시 전용라인인 14라인도 가동에 들어간다.
심규호기자@전자신문, khsim@