`60나노 8Gb MLC 낸드플래시` 연말께 양산

삼성전자가 세계 최초로 개발을 발표해 반향을 일으켰던 60나노 8Gb 멀티레벨셀(MLC) 낸드플래시를 연말부터 양산한다.

삼성전자(대표 윤종용)는 30일 삼성전자 황창규 반도체총괄사장, 김재욱 제조담당사장 등 임직원 300여명이 참석한 가운데, 업계 첫 플래시메모리전용 300㎜ 웨이퍼라인인 14라인 가동을 시작했다고 30일 밝혔다.

14라인은 300㎜ 90나노 2Gb 플래시 메모리 4000장을 시작으로 본격적인 가동에 돌입했으며, 올해 연말까지 1만5000장 규모로 확대해 업계 1위 리더십을 더욱 강화해 나갈 계획이다.

이 라인에서는 6월 말부터 70나노 공정을 적용한 4Gb 제품을 본격 양산한다. 또 올 연말부터 60나노 8Gb 낸드플래시 양산 계획도 잡혀 있어, 향후 수년간 삼성전자의 최첨단·대용량 플래시메모리 양산의 중추적인 역할을 담당하게 될 전망이다.

삼성전자는 이와는 별도로 14라인이 아닌 기존의 8라인에서 싱글레벨셀(SLC) 기술을 적용한 70나노 낸드 플래시메모리를 양산에 돌입했다. SLC 기술은 셀 하나에 데이터 한 개를 저장하는 방식으로, 데이터를 저장하는 셀) 면적이 업계 최소 크기인 0.025 제곱마이크로미터에 불과해 플래시메모리카드를 중심으로 수요가 확산되는 제품이다.

삼성전자 측은 “반도체 양산제품의 공정과 메모리 셀 면적 모두 세계 최소인 신기록을 달성해 ‘나노 테크놀러지’ 기술력을 입증했으며 플래시 메모리 분야에서 1Gb, 2Gb 제품에 이어 이번 4Gb 제품에 이르기까지 3세대 연속 세계 최초 양산을 성공하는 기술력을 선보였다”고 강조했다.

심규호기자@전자신문, khsim@㎜

사진; 14라인에서 첫 양산된 300mm 플래시 메모리 웨이퍼를 들고 기념촬영을 하고 있는 모습. [왼쪽으로 부터 김재욱 사장, 황창규 총괄사장,김지희 사원(14라인 여사원), 지대섭 부사장]