2012년 세계 1위 비휘발성 메모리국가 실현을 위한 첫 단추가 성공적으로 꿰어졌다.
차세대 비휘발성 메모리개발사업단(단장 박재근)은 30일 한양대에서 산학연 반도체 관계자 230여 명이 참석한 가운데 ‘1차년도 총괄 워크숍’을 열고, 1년 성과와 향후 추진 계획을 점검했다.
사업단은 1차 년도 사업을 통해 이 분야 특허 44건을 출원하고, 124편의 논문을 작성하는 성과를 거뒀다.
구체적으로는 P램(상변화 메모리) 분야에서 △PRAM용 저융점 4원계 상변화 신재료 개발 △Ge-Sb-Te 기반 다원계 PRAM용 고속 결정화 신재료 개발, NFGM(나노플로팅게이트 메모리)분야에서는 △45나노미터급 Fin-Fet 구조 적용 나노플로팅 게이트 메모리 소자 등을 구현했다.
또 Po램(폴리머 메모리)분야에서는 △오존(O3) 플라즈마 산화 공정 적용 비휘발성메모리 개발, Re램(저항변화 메모리)분야에서는 2비트 특성 및 나노 소자 특성 등을 확인했다.
차세대 비휘발성메모리개발사업은 오는 2010년 이후 상용화될 첨단 제품의 요소기술을 개발해 메모리 강국의 위상을 유지하자는 목적에서 추진되는 것으로, 현 주력인 플래시메모리 생산기술은 16Gb급 이상 집적화가 불가능한 것으로 추정되고 있어 차세대 기술 개발은 필수적이다. 소자·공정·설계기술 확보를 통해 세계 메모리시장에서 40% 이상을 점유한다는 것이 목표다. 이 사업은 2011년까지 7개년 사업으로 진행되며, 약 420억 원이 투입될 예정이다.
심규호기자@전자신문, khsim@