삼성전자에 이어 하이닉스반도체도 차세대 메모리 1순위 후보로 P램(상변화메모리)을 선정, 사업화에 시동을 건다.
F램(강유전체메모리)·M램(강자성메모리)과 함께 차세대 메모리로 분류되는 P램은 삼성전자 등이 이미 올 하반기 양산을 계획하고 있어, 내년부터 플래시를 서서히 대체하면서 차세대 주력제품으로 떠오를 전망이다.
1일 관련업계에 따르면 이미 2004년 말부터 서울대반도체공동연구소와 공동으로 P램 핵심공정 연구를 추진해 온 하이닉스는 조만간 P램 개발 및 양산에 착수할 계획이다. 특히 하이닉스는 자체 개발과 병행해 기술력을 보유한 관련업체와의 제휴도 다각도로 검토하는 등, P램 사업화에 속도를 내고 있다.
P램은 또 다른 차세대 메모리 후보군인 F램·M램 등에 비해 대용량화와 양산성이 뛰어나, D램·낸드플래시 등에서 최고 생산성을 확보하고 있는 하이닉스에 매우 적합한 품목이라는 것이 업계 평가다.
하이닉스 관계자는 “아직 공식적인 방침은 정해지지 않았다”며 “양산 일정 등은 시장 상황을 지켜보면서 결정할 것”이라고 밝혔다.
그러나 업계 전문가들은 “삼성전자·히타치제작소·르네사스 등 주요 반도체업체가 P램 양산을 공식 표명한 이상 하이닉스로서도 P램은 피할 수 없는 선택”이라며 “특히 지난해 ‘플래시 & 모바일사업부’를 신설해 모바일 반도체시장 공략을 강화하고 있는 하이닉스에 P램은 새로운 관문이자 기회”라고 말했다.
P램은 전원이 끊겨도 저장된 정보가 지워지지 않는 플래시 메모리와 처리속도가 빠른 D램의 장점을 모두 갖고 있는 최적의 메모리로, 차세대 모바일용 유망 메모리로 꼽히고 있다.
심규호기자@전자신문, khsim@