관련 통계자료 다운로드 삼성전자·하이닉스 300mm R&D 웨이퍼 라인 비교
삼성전자와 하이닉스반도체가 단독 라인으로는 사상 최대 규모의 설비투자비를 투입, 300㎜ 전용 R&D라인을 구축한다. 특히 두 회사는 신설 R&D 전용라인과 양산라인의 연계성을 강화, 국내 반도체산업의 강점인 집적화 효과를 극대화한다는 방침이다.
26일 관련업계에 따르면 삼성전자는 R&D용 라인으로는 사상 최대인 8600억원을 투입하는 NRD라인(뉴 R&D 라인)을 300㎜ 이상 초미세가공기술을 적용하는 양산라인과 함께 구축, 첨단 기술개발 결과를 제품 양산으로 빠르게 이전할 수 있는 ‘집적화 효과’를 높일 계획이다.
하이닉스반도체는 아예 한 라인에 300㎜용 R&D라인과 양산라인을 혼합해 구성한 신규 팹을 건설할 예정이다.
이 같은 반도체라인 집적화는 삼성전자가 200㎜ 초기 투자 당시 기흥단지를 중심으로 형성했던 전세계 유례가 없는 연구·생산자원 집중형 반도체 팹 조성 방식으로, ‘한국형 반도체 팹의 전형’으로 알려지며 ‘삼성 신화’의 주요 요인이 됐다. 미국·일본 등 선진 반도체 업계는 통상 R&D라인은 수도권에 두고 생산라인은 완전 분리해 건설하고 있다.
삼성전자가 계획하는 NRD라인은 화성 신규단지에 8600억원이 투입돼, 복층(2층) 팹과 9층 업무시설이 혼합된 연면적 3만5000평 규모의 300㎜·초미세나노공정용 복합형 반도체 연구시설로 조성된다. 이 라인은 내년 5월 본격 가동되며, 4·8Gb 대용량 D램, 32·64Gb 이상의 낸드 플래시 등 차차세대 제품과 50·40·30나노급 첨단 나노기술을 연구 개발하는 중추적인 역할을 할 예정이다. 삼성전자는 NRD 라인에 최첨단 R&D설비를 갖추고 우수 연구원 5000명을 투입해 세계적인 R&D센터로 육성할 계획이다.
하이닉스가 건설하는 300㎜ R&D라인은 중국합작공장으로 설비가 이전되는 M6라인에 설치된다. 회사측은 이 M6라인을 300㎜ 라인으로 전환하면서 900억∼1000억원을 투입해 R&D라인과 낸드플래시 양산라인을 절반씩 조성, 차세대 투자를 강화할 계획이다. 특히 하이닉스의 신규 팹은 R&D와 양산의 연계성뿐만 아니라 시장 상황에 따라 R&D라인의 양산라인 전환도 가능해 업계 관심이 모아지고 있다.
심규호기자@전자신문, khsim@