최첨단 80나노 공정 D램에서 삼성전자와 하이닉스반도체가 치열한 ‘세계 최초’ 경쟁에 돌입했다.
삼성전자가 ‘세계 최초 양산’, 하이닉스는 ‘세계 최초 인텔 인증 획득’을 앞세운 ‘선의의 최첨단 최초 경쟁’은 한국 D램의 위상을 세계에 알리는 계기가 되고 있다.
80나노 공정은 현재 주력 공정인 90나노 공정 대비 50% 이상 생산성을 향상할 수 있어 높은 가격 경쟁력 확보가 가능하다.
삼성전자(대표 윤종용)는 세계 최초로 80나노 공정을 적용한 D램 양산을 시작, 100나노·90나노·80나노 등 3세대 연속으로 나노 기술을 주도하고 있다고 13일 밝혔다. 이 회사가 양산을 시작한 80나노 공정 제품은 512Mb DDR2 D램으로, 동작속도 400·533·667Mbps 등 풀 라인업을 갖췄다.
삼성 측은 “지난 2004년 9월 업계 첫 90나노 D램 양산을 시작한 지 불과 1년 만에 범용 D램, 그래픽D램, 모바일D램 등 D램 전 제품에 90나노 공정을 성공적으로 도입한 데 이어 이번에 80나노 D램 양산에 돌입함으로써 3세대 연속 최첨단 나노 D램 기술을 주도하는 쾌거를 이루게 됐다”고 강조했다. 삼성전자는 이미 70나노 D램 공정기술도 지난해에 개발 완료했으며 올 하반기 양산을 시작할 계획이다.
하이닉스반도체(대표 우의제)도 이날 80나노 공정 기술을 적용한 동작속도 667Mbps·800Mbps의 512Mb DDR2 D램이 세계 최초로 인텔의 인증(밸리데이션)을 획득했다고 밝혔다.
회사 측은 “인텔 인증은 세계에서 가장 보편화된 인텔 칩세트에서 칩이 정상적으로 작동한다는 것을 인정하는 것이어서, 80나노 공정 제품으로 이 인증을 가장 먼저 획득한 것은 해당분야에서 상용화에 가장 앞서 있음을 의미한다”고 말했다.
80나노 공정 D램으로 대만 칩세트 업체가 아닌 인텔의 인증을 획득한 것은 하이닉스가 세계에서 처음이다. 하이닉스는 조만간 모바일 D램, MCP, 슈도S램 등 모바일 제품과 GDDR 등 그래픽 제품에도 80나노 공정 기술을 적용해 첨단 나노급 반도체 공정 기술 분야에서 선도적인 위치를 강화할 계획이다.
한편 삼성전자와 하이닉스반도체는 초고속 그래픽D램 시장에서도 개발 및 양산시기를 놓고 치열한 세계 최초 경쟁을 벌이고 있어 이번 80나노 D램의 세계최초 경쟁은 하이닉스 정상화 이후 그래픽 D램에 이은 2차전 양상을 띠고 있다.
심규호기자@전자신문, khsim@etnews.co.kr