국내 연구팀이 차세대 발광소자 물질인 산화아연(ZnO)을 이용한 새로운 발광다이오드(LED)를 개발했다.
한국광기술원(KOPTI·원장 김태일) 카메라모듈팀(팀장 박영식)은 리첼(대표 김병천) 등 산·학·연 공동연구를 통해 ZnO계 LED 원형을 개발하는 데 성공했다고 17일 밝혔다.
이번에 개발된 ZnO계 LED는 직경 100 마이크론(0.1㎜)의 원형구조로 정상적인 크기(0.3× 0.3㎜)에서는 거의 12배의 방사선속이 예상돼 발광 능력이 획기적으로 개선된다. 기존의 질화갈륨(GaN) 계열 LED보다 저렴하게 고품위 LED를 생산할 수 있다는 게 광기술원 측의 설명이다.
이번 LED 기술 개발에 따라 LED 분야에서 원천 기술을 갖고 있는 일본 닛치아 등 외국 업체에 로열티를 지급하지 않고도 차세대 조명이나 디스플레이 분야의 발광 다이오드 기술을 국내 독자적으로 개발·사업화하는 게 가능할 전망이다.
박영식 광기술원 팀장은 “현재 질화갈륨계가 주종을 이루고 있는 국내 LED 업계에서는 일본 닛치아 등 해외 선진업체가 원천기술을 보유하고 있어 사업화에 많은 어려움이 있었다”면서 “이번에 개발된 LED는 세계적으로 드물게 산화아연계 기술을 채택, 국내 기술로도 독자적으로 차세대 조명용 LED 개발을 위한 첫발을 디뎠다는 데 의미가 있다”라고 말했다.
광기술원 측은 앞으로 공동 개발사인 리첼을 통해 상용화에 나설 예정이다.
김병천 리첼 사장은 “오는 2007년 자외선 LED 시제품 출시를 목표로 양산기술 개발에 박차를 가하고 있다”고 말했다.
광주=김한식기자@전자신문, hskim@