주성엔지니어링이 공간분할 증착장치에 이어 저압식 화학기상증착 장치를 출시하며 반도체 부문 강화에 본격 나선다.
주성엔지니어링(대표 황철주)은 3년간 320억원의 자금을 투자, 생산성과 호환성이 높은 세미 배치 방식의 저압 화학기상증착(LP CVD) 장치를 개발했다고 19일 밝혔다.
이 장비는 한 번에 5장의 웨이퍼를 처리할 수 있는 세미 배치 방식을 채택, 기존 매엽식 방식보다 생산성을 3∼4배 이상 높인 것이 특징이다. 또 공정을 최적화하기 위한 압력·온도·기체 유량 등을 자유롭게 제어할 수 있도록 유연성 있게 설계해 고객의 다양한 요구에 맞게 박막을 형성할 수 있다고 회사 측은 설명했다.
반도체 공정에서 가장 많이 쓰이는 실리콘질화막(SiN)과 실리콘산화막(SiO2), 다결정실리콘박막(Poly-Si), 어닐링 등을 하나의 시스템에서 생산, 사용자에게 다양한 솔루션을 제공할 수 있다.
황철주 사장은 “반도체 고집적화에 따라 우수한 박막 특성과 높은 생산성을 가진 CVD 장비 수요가 커졌다”며 “LP CVD 개발로 반도체 전공정 증착 장치 제품군의 60% 이상을 확보, 종합 반도체 장치회사로 변신하게 됐다”고 말했다.
LP CVD는 반도체 소자의 주요 모듈인 트랜지스터와 캐패시터, 배선 및 절연층 등의 형성을 위한 증착 장치로 국내 시장 규모는 1조원 정도로 추산된다.
한세희기자@전자신문, hahn@