삼성전자(대표 윤종용)는 70나노 1기가비트(Gb) 원낸드에 이어, 60나노 초미세 나노 공정을 적용한 2Gb 원낸드를 개발했다고 27일 밝혔다.
모바일기기의 저장메모리로 널리 사용돼 온 원낸드는 급속한 용량 확대에 힘입어, PC용 버퍼메모리시장 공략을 본격화할 수 있게 됐다. 원낸드는 읽기 속도가 빠른 노어 플래시의 장점과 쓰기 속도가 빠르고 대용량 구현이 가능한 낸드 플래시의 장점을 융합한 차세대 퓨전 반도체다.
삼성전자가 이번에 개발한 2Gb 원낸드는 쓰기 동작 시 한 번에 2 단위로 데이터를 처리하는 기존 원낸드와 달리, 한 번에 4 를 처리할 수 있어 쓰기 속도가 초당 9.3MB에서 17MB로 2배 수준까지 향상된 것이 가장 큰 특징이다.
또 여러 개의 칩을 적층함으로써 고용량 제품 구현이 가능할 뿐 아니라, 각 칩이 독립적으로 시스템과 작동할 수 있는 기능을 갖췄다. 적층 칩 수가 증가하면 한 번에 처리 가능한 데이터 양도 증가하게 된다. 즉, 2Gb 원낸드 8개를 적층하면 초당 최대 136MB까지 쓰기 속도 향상이 가능하다.
삼성전자 측은 “원낸드는 여러 모바일 제품에 적용돼 우수성을 인정받아 왔으며 PC·디지털카메라·메모리카드·디지털 TV 등 다양한 응용 분야로 그 시장을 넓혀 가고 있다”며 “특히 최근 주목받고 있는 하이브리드 HDD에 탑재돼 PC 부팅시간을 절반 이상 단축하는 최적의 버퍼 메모리로 검증되고 있어 향후 시장이 무궁무진하다”고 강조했다.
심규호기자@전자신문, khsim@