전력용 반도체 모듈업체인 화인SPN(대표 안성근 http://www.finespn.com)이 세계적 수준의 성능인 1200V·200A급 절연게이트양극성트랜지스터(IGBT) 모듈을 국내 최초로 개발했다고 28일 밝혔다.
IGBT는 고전압·대전류를 필요로 하는 중전기기에서 온·오프 스위칭을 담당하는 전력용반도체 일종이며 차세대자동차인 하이브리드·전기자동차 등 첨단기기의 핵심으로 활용되는 첨단기술로, 전체 발전에너지 중 60∼70% 정도를 소모하는 전동기 에너지를 약 20∼40% 가량 절감시킬 수 있다.
이번 화인SPN이 개발한 IGBT 모듈은 IGBT의 주요 특성인 포화전압이 1.7V로 낮은 첨단 제품으로, 해외 주요 전력용반도체 및 모듈업체의 제품과 동등한 수준의 성능을 구현했다. 포화전압 값이 1.7V인 제품은 현재 일반적으로 사용되는 포화전압이 1.8V ∼ 3.5V인 기존 IGBT 모듈과 비교할 때 에너지 손실을 10%에서 50% 이상 개선할 수 있는데다 스위칭 속도 또한 빨라, 고속 기기에 응용이 가능하다.
화인SPN의 김경수 부사장은 “이번의 개발로 600V·400A 급 및 1200V·200A급 까지의 다양한 제품을 확보함으로써 수입 전력용 반도체의 50%이상의 시장을 국산으로 대체 할 수 있는 기반을 마련하게 됐다”며 “하반기부터 본격 양산에 들어가 내수는 물론 수출도 추진할 계획”이라고 밝혔다.
화인SPN의 이번 1200V·200A IGBT모듈은 산업자원부의 전력IT사업 과제 가운데 하나인 ‘분산 발전 및 산업용 인버터 응용을 위한 전력반도체 기술 개발 사업’의 일환으로 개발된 것으로, 해외 전력용반도체업체의 IGBT칩을 활용해 LS산전 등과 공동으로 진행했다.
이번에 화인SPN이 모듈 개발을 완료함에 따라, 1200V·200A급 IGBT칩 개발을 진행하고 있는 페어차일드와 KEC 성과에 따라 칩과 모듈을 모두 포함하는 전력용반도체의 국산화가 빠르게 진행될 가능성이 높다.
한편 산업자원부가 추진하는 전력용 반도체 개발사업은 지난 2005년 12월부터 오는 2010년 11월까지 총 60개월 동안 400억원(정부 200억원, 민간 200억원)의 연구비가 투자될 예정이며, 전력용 반도체의 실 수요자인 LS산전을 중심으로 관련 산학연이 협력체계를 구축해 연구개발을 추진하고 있다.
심규호기자@전자신문, khsim@