하이닉스 300mm 웨이퍼 R&D팹 `R3` 개소

우의제 하이닉스반도체 사장(왼쪽 앞에서 세 번째)은 반도체 관련 주요 내외빈과 함께 최단시간 최고의 완성도를 갖춘 300㎜ R&D 팹 ‘R3’ 현판식을 가졌다. 왼쪽부터 김중조 성원에드워드 회장, 이완근 신성이엔지 회장, 우의제 하이닉스반도체 사장, 박성욱 하이닉스반도체 연구소장, 이부섭 동진세미켐 회장, 오춘식 하이닉스반도체 부사장, 정수현 현대건설 부사장, 김대수 하이닉스반도체 부사장, 고석태 케이씨텍 회장.

　하이닉스반도체(대표 우의제 http://www.hynix.co.kr)는 300㎜ 웨이퍼시대에 대응해 세계 최고의 R&D 경쟁력을 확보하기 위해 300㎜ 연구개발 팹인 ‘R3’를 이천사업장에 개소했다고 26일 밝혔다.

　하이닉스는 이번 R3 R&D 팹의 개소로 시제품과 양산제품이 서로 다른 팹에서 제작되는 비효율적인 요인을 제거함으로써 제품개발을 좀더 신속하게 진행할 수 있으며, 50나노급 이하 D램 및 낸드 플래시 신제품 개발에도 더욱 박차를 가할 수 있게 됐다. R3 팹을 활용하면 세계 최고 수준의 양산·공정 기술에 더해 제품 개발의 효율성을 한층 높일 수 있어, 300㎜ 시장에서도 업계 최고의 원가 경쟁력을 확보할 수 있을 것으로 기대된다.

　하이닉스반도체는 올 1월 R3 팹 건설을 위해 태스크포스(TF)를 구성했다. 지난 6월 200㎜ 팹이었던 이천 M6 개조를 시작, 8월에 8500여평 규모의 300㎜ 팹으로 개조해 시험운전 및 안전검사를 완료했다. 이어 이달에 첫 장비를 입고, 10월부터 첫 연구개발용 웨이퍼를 투입한다.

　우의제 사장은 “R3 개소식은 그 동안 M10의 눈부신 성장과 중국공장의 성공적인 셋업을 바탕으로, 세계 300㎜ 시장을 본격적으로 이끌어가는 하이닉스의 큰 걸음이 시작되는 자리”라며 “하이닉스 성장의 밑거름이 된 기존 팹의 리모델링 기술이 반영된 R3는 최단 기간에 최고의 완성도를 갖춘 것으로 평가돼 그 의미가 더 크다”고 강조했다.

　 심규호기자@전자신문, khsim@