다중 레벨 셀(MLC:Multi level cell)이란 플래시 메모리 칩에서 셀 하나에 다수의 비트를 저장하는 기술을 말한다. 일반적으로 플래시 메모리는 셀당 하나의 비트를 저장하는 기술인 단일 레벨 셀(SLC) 방식으로 생산됐으나, 크기는 줄이면서 용량은 늘리기 위해 MLC 기술이 확산되는 추세다. 다중 레벨 셀은 트랜지스터의 게이트를 다수의 전압 레벨로 변화시켜 셀 하나에 다수의 비트를 저장하는 기술이다.
셀당 레벨 수가 많아지면서 저장 능력은 증가하지만 다이 크기는 그만큼 커지지 않기 때문에 소형 고용량 플래시 메모리 개발이 가능하다. 지금까지 개발된 MLC는 한 셀에 4비트를 저장한 것이 최대며, 대부분의 MLC가 한 셀에 2비트를 저장한 플래시 메모리다. 이러한 기술은 낸드 플래시와 노어 플래시, 퓨전 메모리에 모두 적용돼 메모리 고용량화를 이끌고 있다. 공정 기술 발전으로 인해 90나노미터 공정에서 65나노 공정으로, 65나노에서 45나노 공정으로 매년 한 단계씩 줄어드는 것과 함께 셀에 저장하는 비트 수를 늘리는 기술이 정착되면서 메모리 용량 증가에 속도가 붙을 전망이다.